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採用企業 | クイーン カジノ 出 金 |
勤務地 | 神奈川県 |
雇用形態 | 正社員 |
給与 | 700万円 ~ 1000万円 |
<業務内容
エピタキシープロセス開発エンジニア(ウェハープロセス開発)は、2024年度に向けて、4インチウェハー開発、特に新型MOCVDリアクターの立ち上げをご担当いただきます。また、53G-DML、56G-EML、CWレーザーチップの高速光源などのNPIにも携わることができます。
<業務詳細
・ウェハープロセスの新規開発、改良、処理またはハンドリング装置の要件および仕様の定義を行う。また、開発した技術を製品の製造、加工、評価に応用する。
・量産体制確立のため、プロセス設備の新規導入やプロセス条件のセットアップを行う。
・パイロットプラントから本番の製造まで、プロジェクトのあらゆる段階から参加し開発に貢献する。
・新規コンセプト、設備自動化技術、プロセスの開発、改良におけるアプローチの定義と選択を含むプロジェクトを考案し、計画する。
Job Description:
This wafer process development engineer is for 4inch conversion development toward FY24, especially launching new MOCVD reactor. Also this engineer will engage in NPI such as high-speed light sources of 53G-DML, 56G-EML and CW Laser chips.
Responsibilities:
-Develops new or modified wafer process, defines processing or handling equipment requirements and specifications, and contributes by applying the developed technologies in the manufacture, fabrication, and evaluation of products.
-Responsible for introducing new process equipment and setting up process conditions to realize mass-production capacity ramp.
-Involvement may begin at any step from pilot plant to full-scale manufacturing.
-May conceive and plan projects involving definition and selection of new concepts, equipment automation technology, and approaches in the processing or development of new or improved processes.
職務経験 | 10年以上 |
キャリアレベル | 中途経験者レベル |
英語レベル | 日常会話レベル |
日本語レベル | ネイティブ |
最終学歴 | 大学院卒: 修士号/博士号 |
現在のビザ | 日本での就労許可が必要です |
・電子工学、電気工学、物理学、または関連分野において学士号、修士号、博士号を取得している方。
・学士および6年以上の実務経験、もしくは修士および4年以上の実務経験のある方。または実務経験はないが博士号を取得している方。
・エピタキシーエンジニアリング経験およびマネジメント経験がある方。
・データ処理のプクイーン カジノ 評価ラミングスキル(VBA、python、データベースなど)があれば尚可。
・InP光デバイス開発のためのウェハープロセス経験、特にエピタキシャル成長、酸化膜蒸着、プロセス/装置に関する高度なスキルを有する方。
・日本語が流暢で、中級レベル以上の英語スキルがある方。
Expected Background:
Expected Skill:
雇用形態 | 正社員 |
給与 | 700万円 ~ 1000万円 |
業種 | 電気・電子・半導体 |
会社の種類 | 外資系企業 |
外国人の割合 | (ほぼ)全員日本人 |